IPD65R1K0CEAUMA1 के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
IPD65R1K0CEAUMA1
- मेगा स्रोत #: MEGA-IPD65R1K0CEAUMA1
- उत्पादक: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- पैकेजिंग: Tape & Reel (TR)
- विवरण: MOSFET N-CH 650V TO-252
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
हमारा प्रमाणन
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स्टॉक में: 58977
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक IPD65R1K0CEAUMA1
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | PG-TO252-3 |
| शृंखला | CoolMOS™ |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 68W (Tc) |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| दुसरे नाम | SP001421368 |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 328pF @ 100V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 15.3nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | Super Junction |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 7.2A (Tc) |
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