IRF7779L2TRPBF के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
IRF7779L2TRPBF
- मेगा स्रोत #: MEGA-IRF7779L2TRPBF
- उत्पादक: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- पैकेजिंग: Cut Tape (CT)
- विवरण: MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
हमारा प्रमाणन
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स्टॉक में: 52255
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक IRF7779L2TRPBF
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 250µA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DIRECTFET L8 |
| शृंखला | HEXFET® |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण | DirectFET™ Isometric L8 |
| दुसरे नाम | IRF7779L2TRPBFCT |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 6660pF @ 25V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 150nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 150V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 150V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 375A (Tc) |
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