EPC8002ENGR के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
EPC8002ENGR
- मेगा स्रोत #: MEGA-EPC8002ENGR
- उत्पादक: EPC
- पैकेजिंग: Tray
- विवरण: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
हमारा प्रमाणन
त्वरित आरएफक्यू
स्टॉक में: 57203
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक EPC8002ENGR
| वोल्टेज - टेस्ट | 21pF @ 32.5V |
|---|---|
| वोल्टेज - टूटने | Die |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| प्रौद्योगिकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
| शृंखला | eGaN® |
| RoHS स्थिति | Tray |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 2A (Ta) |
| ध्रुवीकरण | Die |
| दुसरे नाम | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| उत्पादक हिस्सा करमार्क | EPC8002ENGR |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 0.14nC @ 5V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 2.5V @ 250µA |
| FET फ़ीचर | N-Channel |
| विस्तारित विवरण | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - |
| विवरण | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 65V |
| समाई अनुपात | - |
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EPC8002ENGR FAQ
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उत्पाद प्रकार और शर्त
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