SIHF22N65E-GE3 के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
SIHF22N65E-GE3
- मेगा स्रोत #: MEGA-SIHF22N65E-GE3
- उत्पादक: Electro-Films (EFI) / Vishay
- पैकेजिंग: Tube
- विवरण: MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
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स्टॉक में: 54829
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक SIHF22N65E-GE3
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 250µA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220 Full Pack |
| शृंखला | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 35W (Tc) |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 Full Pack |
| दुसरे नाम | SIHF22N65E-GE3CT SIHF22N65E-GE3CT-ND |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2415pF @ 100V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 110nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 22A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 22A (Tc) |
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SIHF22N65E-GE3 FAQ
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उत्पाद प्रकार और शर्त
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- मेमोरी कार्ड, मॉड्यूल
- निर्माता/DIY, शैक्षिक
- मैग्नेटिक्स - ट्रांसफार्मर, इंडक्टर घटक
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