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TSM110NB04LCR RLG
- मेगा स्रोत #: MEGA-TSM110NB04LCR RLG
- उत्पादक: Taiwan Semiconductor
- पैकेजिंग: Cut Tape (CT)
- विवरण: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
- RoHS कॉम्प्लाइंट:
- Datasheet:
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स्टॉक में: 58861
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक TSM110NB04LCR RLG
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-PDFN (5x6) |
| शृंखला | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 11 mOhm @ 12A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 3.1W (Ta), 68W (Tc) |
| पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण | 8-PowerLDFN |
| दुसरे नाम | TSM110NB04LCRRLGCT |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 10 Weeks |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1269pF @ 20V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 23nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 40V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 40V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 12A (Ta), 54A (Tc) |
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