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मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक IRF6810STRPBF
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.1V @ 25µA |
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वीजीएस (मैक्स) | ±16V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | DIRECTFET S1 |
शृंखला | HEXFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
पैकेज / प्रकरण | DirectFET™ Isometric S1 |
दुसरे नाम | IRF6810STRPBFCT |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1038pF @ 13V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 11nC @ 4.5V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 25V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 16A (Ta), 50A (Tc) |