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SG2013J-883B
- मेगा स्रोत #: MEGA-SG2013J-883B
- उत्पादक: Microsemi
- पैकेजिंग: Tube
- विवरण: TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
- Datasheet:
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उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक SG2013J-883B
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 50V |
|---|---|
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| ट्रांजिस्टर प्रकार | 7 NPN Darlington |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 16-CDIP |
| शृंखला | - |
| पावर - मैक्स | - |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | - |
| दुसरे नाम | 1259-1108 1259-1108-MIL |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Contains lead / RoHS non-compliant |
| आवृत्ति - संक्रमण | - |
| विस्तृत विवरण | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | - |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 600mA |
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