IPT111N20NFDATMA1 के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
IPT111N20NFDATMA1
- मेगा स्रोत #: MEGA-IPT111N20NFDATMA1
- उत्पादक: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- पैकेजिंग: Tape & Reel (TR)
- विवरण: MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
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स्टॉक में: 59743
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक IPT111N20NFDATMA1
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 267µA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | PG-HSOF-8 |
| शृंखला | OptiMOS™ |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 11.1 mOhm @ 96A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 375W (Tc) |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण | 8-PowerSFN |
| दुसरे नाम | IPT111N20NFDATMA1-ND IPT111N20NFDATMA1TR SP001340384 |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 7000pF @ 100V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 87nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 200V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 200V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 96A (Tc) |
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