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मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक SI3900DV-T1-E3
वोल्टेज - टेस्ट | - |
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वोल्टेज - टूटने | 6-TSOP |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
शृंखला | TrenchFET® |
RoHS स्थिति | Digi-Reel® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 2A |
पावर - मैक्स | 830mW |
ध्रुवीकरण | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
दुसरे नाम | SI3900DV-T1-E3DKR |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 15 Weeks |
उत्पादक हिस्सा करमार्क | SI3900DV-T1-E3 |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 4nC @ 4.5V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 1.5V @ 250µA |
FET फ़ीचर | 2 N-Channel (Dual) |
विस्तारित विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | Logic Level Gate |
विवरण | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 20V |