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TRS8E65C,S1Q
- मेगा स्रोत #: MEGA-TRS8E65C,S1Q
- उत्पादक: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- पैकेजिंग: Tube
- विवरण: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
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स्टॉक में: 54237
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक TRS8E65C,S1Q
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.7V @ 8A |
|---|---|
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 650V |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220-2L |
| गति | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| शृंखला | - |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 0ns |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-2 |
| दुसरे नाम | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | 175°C (Max) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 12 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| डायोड प्रकार | Silicon Carbide Schottky |
| विस्तृत विवरण | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 90µA @ 650V |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 8A (DC) |
| समाई @ वीआर, एफ | 44pF @ 650V, 1MHz |
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