SI9945BDY-T1-GE3 के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
स्टॉक में: 59690
हम बहुत प्रतिस्पर्धी मूल्य के साथ SI9945BDY-T1-GE3 के वितरक को स्टॉक कर रहे हैं।त्वरित RFQ फॉर्म का उपयोग करके SI9945BDY-T1-GE3 नवीनतम पाइरस, इन्वेंट्री और लीड टाइम अब देखें।SI9945BDY-T1-GE3 की गुणवत्ता और प्रामाणिकता के लिए हमारी प्रतिबद्धता अटूट है, और हमने SI9945BDY-T1-GE3 की अखंडता सुनिश्चित करने के लिए कड़े गुणवत्ता निरीक्षण और वितरण प्रक्रियाओं को लागू किया है।आप यहां SI9945BDY-T1-GE3 डेटशीट भी पा सकते हैं।
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक SI9945BDY-T1-GE3
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3V @ 250µA |
---|---|
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SO |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
पावर - मैक्स | 3.1W |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
दुसरे नाम | SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDYT1GE3 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 33 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 665pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 20nC @ 10V |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) |
FET फ़ीचर | Logic Level Gate |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5.3A |
आधार भाग संख्या | SI9945 |