RP1L080SNTR के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
RP1L080SNTR
- मेगा स्रोत #: MEGA-RP1L080SNTR
- उत्पादक: LAPIS Technology
- पैकेजिंग: Cut Tape (CT)
- विवरण: MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
हमारा प्रमाणन
त्वरित आरएफक्यू
स्टॉक में: 58210
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक RP1L080SNTR
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3V @ 1mA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | MPT6 |
| शृंखला | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 24 mOhm @ 8A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 2W (Ta) |
| पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण | 6-SMD, Flat Leads |
| दुसरे नाम | RP1L080SNCT RP1L080SNTRCT RP1L080SNTRCT-ND |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1700pF @ 10V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 40nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4V, 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 60V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6 |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 8A (Ta) |
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RP1L080SNTR FAQ
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