स्टॉक में: 53373
हम बहुत प्रतिस्पर्धी मूल्य के साथ IPD30N08S222ATMA1 के वितरक को स्टॉक कर रहे हैं।त्वरित RFQ फॉर्म का उपयोग करके IPD30N08S222ATMA1 नवीनतम पाइरस, इन्वेंट्री और लीड टाइम अब देखें।IPD30N08S222ATMA1 की गुणवत्ता और प्रामाणिकता के लिए हमारी प्रतिबद्धता अटूट है, और हमने IPD30N08S222ATMA1 की अखंडता सुनिश्चित करने के लिए कड़े गुणवत्ता निरीक्षण और वितरण प्रक्रियाओं को लागू किया है।आप यहां IPD30N08S222ATMA1 डेटशीट भी पा सकते हैं।
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक IPD30N08S222ATMA1
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 80µA |
---|---|
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | PG-TO252-3 |
शृंखला | OptiMOS™ |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 21.5 mOhm @ 50A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 136W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
दुसरे नाम | IPD30N08S2-22 IPD30N08S2-22-ND IPD30N08S222ATMA1TR SP000252169 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1400pF @ 25V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 57nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 75V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 30A (Tc) |