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SI5920DC-T1-GE3
- मेगा स्रोत #: MEGA-SI5920DC-T1-GE3
- उत्पादक: Electro-Films (EFI) / Vishay
- पैकेजिंग: Cut Tape (CT)
- विवरण: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
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स्टॉक में: 53402
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक SI5920DC-T1-GE3
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1V @ 250µA |
|---|---|
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 1206-8 ChipFET™ |
| शृंखला | TrenchFET® |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| पावर - मैक्स | 3.12W |
| पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण | 8-SMD, Flat Lead |
| दुसरे नाम | SI5920DC-T1-GE3CT SI5920DCT1GE3 |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 680pF @ 4V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 12nC @ 5V |
| FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) |
| FET फ़ीचर | Logic Level Gate |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 8V |
| विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 4A |
| आधार भाग संख्या | SI5920 |
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SI5920DC-T1-GE3 FAQ
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