EMD3T2R के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
EMD3T2R
- मेगा स्रोत #: MEGA-EMD3T2R
- उत्पादक: LAPIS Technology
- पैकेजिंग: Tape & Reel (TR)
- विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
हमारा प्रमाणन
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स्टॉक में: 54138
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक EMD3T2R
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 50V |
|---|---|
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 300mV @ 500µA, 10mA |
| ट्रांजिस्टर प्रकार | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | EMT6 |
| शृंखला | - |
| प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) | 10 kOhms |
| प्रतिरोधी - आधार (आर 1) | 10 kOhms |
| पावर - मैक्स | 150mW |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण | SOT-563, SOT-666 |
| दुसरे नाम | EMD3T2R-ND EMD3T2RTR |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 10 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| आवृत्ति - संक्रमण | 250MHz |
| विस्तृत विवरण | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 500nA |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 100mA |
| आधार भाग संख्या | *MD3 |
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EMD3T2R FAQ
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