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TK62J60W,S1VQ
- मेगा स्रोत #: MEGA-TK62J60W,S1VQ
- उत्पादक: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- पैकेजिंग: Tube
- विवरण: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
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उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक TK62J60W,S1VQ
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 3.7V @ 3.1mA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-3P(N) |
| शृंखला | DTMOSIV |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 38 mOhm @ 30.9A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 400W (Tc) |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-3P-3, SC-65-3 |
| दुसरे नाम | TK62J60W,S1VQ(O TK62J60WS1VQ |
| परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 6500pF @ 300V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 180nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | Super Junction |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 600V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 61.8A (Ta) |
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