IRFH5015TR2PBF के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
IRFH5015TR2PBF
- मेगा स्रोत #: MEGA-IRFH5015TR2PBF
- उत्पादक: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- पैकेजिंग: Cut Tape (CT)
- विवरण: MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
हमारा प्रमाणन
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स्टॉक में: 56806
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक IRFH5015TR2PBF
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 150µA |
|---|---|
| वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-PQFN (5x6) |
| शृंखला | HEXFET® |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 31 mOhm @ 34A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
| पैकेज / प्रकरण | 8-PowerVDFN |
| दुसरे नाम | IRFH5015TR2PBFCT |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2300pF @ 50V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 50nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 150V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 150V 10A (Ta), 56A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 10A (Ta), 56A (Tc) |
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