BUV21G के लेबल और बॉडी मार्किंग को ऑर्डर के बाद प्रदान किया जा सकता है।
BUV21G
- मेगा स्रोत #: MEGA-BUV21G
- उत्पादक: AMI Semiconductor/onsemi
- पैकेजिंग: Tray
- विवरण: TRANS NPN 200V 40A TO-3
- RoHS कॉम्प्लाइंट: लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
- Datasheet:
हमारा प्रमाणन
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स्टॉक में: 33
उत्पाद वर्णन
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विशेष विवरण
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक BUV21G
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 200V |
|---|---|
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 1.5V @ 3A, 25A |
| ट्रांजिस्टर प्रकार | NPN |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-3 |
| शृंखला | SWITCHMODE™ |
| पावर - मैक्स | 250W |
| पैकेजिंग | Tray |
| पैकेज / प्रकरण | TO-204AE |
| दुसरे नाम | BUV21G-ND BUV21GOS-NDOS BUV21GOSOS |
| परिचालन तापमान | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 2 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| आवृत्ति - संक्रमण | 8MHz |
| विस्तृत विवरण | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3 |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 20 @ 12A, 2V |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 3mA |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 40A |
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BUV21G FAQ
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