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मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक NTHD4P02FT1G
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1.2V @ 250µA |
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वीजीएस (मैक्स) | ±12V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | ChipFET™ |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 1.1W (Tj) |
पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
पैकेज / प्रकरण | 8-SMD, Flat Lead |
दुसरे नाम | NTHD4P02FT1GOSCT |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 6 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 300pF @ 10V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 6nC @ 4.5V |
FET प्रकार | P-Channel |
FET फ़ीचर | Schottky Diode (Isolated) |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 2.5V, 4.5V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
विस्तृत विवरण | P-Channel 20V 2.2A (Tj) 1.1W (Tj) Surface Mount ChipFET™ |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2.2A (Tj) |