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मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक GA10JT12-263
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | - |
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वीजीएस (मैक्स) | - |
प्रौद्योगिकी | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | - |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 120 mOhm @ 10A |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 170W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | - |
दुसरे नाम | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
परिचालन तापमान | 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 18 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1403pF @ 800V |
FET प्रकार | - |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | - |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 1200V |
विस्तृत विवरण | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 25A (Tc) |