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मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक IPB60R080P7ATMA1
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 590µA |
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वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | D²PAK (TO-263AB) |
शृंखला | CoolMOS™ P7 |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 80 mOhm @ 11.8A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 129W (Tc) |
पैकेजिंग | Cut Tape (CT) |
पैकेज / प्रकरण | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
दुसरे नाम | IPB60R080P7ATMA1CT |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Contains lead / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2180pF @ 400V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 51nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 650V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 37A (Tc) |