स्टॉक में: 51114
हम बहुत प्रतिस्पर्धी मूल्य के साथ SIDR402DP-T1-GE3 के वितरक को स्टॉक कर रहे हैं।त्वरित RFQ फॉर्म का उपयोग करके SIDR402DP-T1-GE3 नवीनतम पाइरस, इन्वेंट्री और लीड टाइम अब देखें।SIDR402DP-T1-GE3 की गुणवत्ता और प्रामाणिकता के लिए हमारी प्रतिबद्धता अटूट है, और हमने SIDR402DP-T1-GE3 की अखंडता सुनिश्चित करने के लिए कड़े गुणवत्ता निरीक्षण और वितरण प्रक्रियाओं को लागू किया है।आप यहां SIDR402DP-T1-GE3 डेटशीट भी पा सकते हैं।
मानक पैकेजिंग एकीकृत सर्किट घटक SIDR402DP-T1-GE3
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.3V @ 250µA |
---|---|
वीजीएस (मैक्स) | +20V, -16V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | PowerPAK® SO-8DC |
शृंखला | TrenchFET® Gen IV |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | PowerPAK® SO-8 |
दुसरे नाम | SIDR402DP-T1-GE3TR |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 9100pF @ 20V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 165nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 40V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 40V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |